SK Hynix anuncia la RAM LPDDR5T para smartphones que alcanza hasta 9.6Gbps

La producción en masa comenzará a partir de la segunda mitad de 2023

El fabricante de semiconductores SK Hynix acaba de anunciar la nueva generación de sus memorias RAM tipo LPDDR5T para teléfonos móviles, que destaca por alcanzar velocidades de hasta 9.6 Gbps en transferencia de datos.

Esta nueva pieza de hardware supera a la LPDDR5X de Samsung que alcanza una velocidad de hasta 8.5 Gbps, por lo que la diferencia es notoria.

SK Hynix afirma que su nueva memoria es un 13 por ciento más rápida que el modelo anterior, mientras que su voltaje es ultra bajo de 1.01 a 1.12V definido por el JEDEC, esto significa que consume menos energía gracias al proceso de producción HKMG, conocido técnicamente como High-K Metal Gate.

Es importante señalar que HKMG es un proceso que utiliza un material con una alta constante dieléctrica en la película aislante dentro de los transistores DRAM para así evitar corrientes de fuga y mejorar la capacitancia del chip, gracias a esto se aumenta la eficiencia en velocidad.

Se ha confirmado que la producción en masa de estas memorias RAM comenzarán a partir de la segunda mitad de 2023, se usará un proceso de fabricación de 1anm, que es la cuarta generación de la tecnología de 10nm.

Las RAM LPDDR5T serán utilizadas específicamente en smartphones con conectividad 5G, inteligencia artificial, realidad aumentada y aprendizaje automático. Este es el nuevo hardware de SK Hynix que ayudará a crear celulares más veloces y eficientes.